Puolijohdeteknikka II (E0133), 5 op

Perustiedot

Esitietovaatimukset

E0132 Puolijohdetekniikka 1

Sisältö (ydinaines ja -osaaminen)

Mikropiirien valmistusprosessin päävaiheet: terminen oksidointi ja termiseen oksidoinnin Deal-Grove-malli, fotolitografia (erilaiset tekniikat, säteilyn aallonpituudet, optiikan rajoitukset), diffuusio, ioni-istutuksen periaate (annos, istutussyvyys), etsaus, CVD-prosessit yleisesti, LTO, epitaksia. Neliövastusmittaukset.

Sisältö (täydentävä ja erityisosaaminen)

Muita termisen oksidin kasvumalleja, röntgenlitografian periaate, elektronisuihkulitografian periaate, muut CVD-ohutfilmityypit ja niiden kasvatus, metallikontaktien valmistus.

Tiedolliset oppimistulokset (ydinaines ja -osaaminen)

Opintojakson suoritettuaan opiskelija tuntee tavallisimmat mikropiirin valmistuksen vaiheet sekä ymmärtää niiden merkityksen valmistusprosessissa.

Taidolliset oppimistulokset (ydinaines ja -osaaminen)

Opintojakson suoritettuaan opiskelija osaa laskea oksidointiaikoja ja oksidikerrospaksuuksia, ioni-istutussyvyyksiä ja istutusannoksia, etsausnopeuksia sekä neliövastuksia perustapauksissa. Opiskelija osaa määrittää teoreettisesti fotolitografisen systeemin optisen suorituskyvyn.

Kirjallisuus ja muu materiaali

Jaeger, R.C., Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd. ed.

Opetusmenetelmät

Luokkahuoneopetusta: 56 h
Laboratoriotöitä: - h
Harjoitustyö: 15 h
Tentti: 3 h
Opiskelijan itseopiskelu (kuormittavuusanalyysi tehty 5/05): 56 h
Yhteensä: 130 h
Kuormittavuusanalyysin seuranta tehty: -

Opiskelijan kuormittavuus

Arvioinnin perusteet

Arvosana määräytyy joko kotilaskujen tai tentin perusteella.

Koulutusohjelmakohtaiset kompetenssit

Puolijohde- ja anturitekniikka
Teoreettinen perusta ja matemaattis-luonnontieteelliset valmiudet (T)